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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM)

Name: TPC8A06-H(TE12LQM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8A06-H(TE12LQM)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (437 reviews)

Número de pieza de MFG: TPC8A06-H(TE12LQM)

Cantidad disponible: 62220 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TPC8A06-H(TE12LQM).pdf

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TPC8A06-H(TE12LQM) Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TPC8A06-H(TE12LQM)
Número de parte futuro	FT-TPC8A06-H(TE12LQM)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TPC8A06-H(TE12LQM) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1800pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8A06-H(TE12LQM) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TPC8A06-H(TE12LQM)-FT

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