casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SQ4532AEY-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQ4532AEY-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQ4532AEY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ4532AEY-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V |
Potencia - max | 3.3W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ4532AEY-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQ4532AEY-T1_GE3-FT |
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