casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / EPC2111
Número de pieza del fabricante | EPC2111 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EPC2111 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EPC2111 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
Potencia - max | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2111 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EPC2111-FT |
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5AGXMB5G4F35I5N
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