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Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF

Número de pieza de MFG
IRFHE4250DTRPBF
Cantidad disponible
70460 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
FASTIRFET™ MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFHE4250DTRPBF
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie FASTIRFET™
IRFHE4250DTRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 86A, 303A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1735pF @ 13V
Potencia - max 156W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 32-PowerWFQFN
Paquete del dispositivo del proveedor 32-PQFN (6x6)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHE4250DTRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFHE4250DTRPBF-FT

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