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Vishay Siliconix SQ2309ES-T1_GE3

Name: SQ2309ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2309ES-T1_GE3
Price: 0.192488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (215 reviews)

Número de pieza de MFG: SQ2309ES-T1_GE3

Cantidad disponible: 15510 Piezas

Precio de referencia: USD 0.192488

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CHAN 60V SOT23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SQ2309ES-T1_GE3.pdf

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SQ2309ES-T1_GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SQ2309ES-T1_GE3
Número de parte futuro	FT-SQ2309ES-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQ2309ES-T1_GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	265pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236 (SOT-23)
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQ2309ES-T1_GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SQ2309ES-T1_GE3-FT

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