casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS670S2L
Número de pieza del fabricante | BSS670S2L |
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Número de parte futuro | FT-BSS670S2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS670S2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 540mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2.7µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 75pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS670S2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSS670S2L-FT |
NDS356AP
ON Semiconductor
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Vishay Siliconix
FDN327N
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FDN357N
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
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MPM7128SQC100AC
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