casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDN302P
Número de pieza del fabricante | FDN302P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDN302P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDN302P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 882pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SuperSOT-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN302P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDN302P-FT |
SI2302-TP
Micro Commercial Co
BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2LH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2318A-TP
Micro Commercial Co
SI2369DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2389ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
2N7002KA-TP
Micro Commercial Co
2SK1828TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SI2301A-TP
Micro Commercial Co
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel