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Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1

Name: BSS670S2LH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS670S2LH6327XTSA1
Price: 0.062144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (808 reviews)

Número de pieza de MFG: BSS670S2LH6327XTSA1

Cantidad disponible: 10200 Piezas

Precio de referencia: USD 0.062144

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSS670S2LH6327XTSA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	BSS670S2LH6327XTSA1
Número de parte futuro	FT-BSS670S2LH6327XTSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSS670S2LH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	540mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2.7µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	75pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS670S2LH6327XTSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSS670S2LH6327XTSA1-FT

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