casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLMS5703TR
Número de pieza del fabricante | IRLMS5703TR |
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Número de parte futuro | FT-IRLMS5703TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLMS5703TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 170pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Micro6™(SOT23-6) |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS5703TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLMS5703TR-FT |
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