casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ1440EH-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQ1440EH-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQ1440EH-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ1440EH-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 344pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1440EH-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQ1440EH-T1_GE3-FT |
SCT2120AFC
Rohm Semiconductor
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18E10K3,S1X(S
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TK25E06K3,S1X(S
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TK35E10K3(S1SS-Q)
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TK40E10K3,S1X(S
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TK50E06K3A,S1X(S
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TK50E08K3,S1X(S
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TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60D08J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel