casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW47N65C3FKSA1
Número de pieza del fabricante | SPW47N65C3FKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-SPW47N65C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPW47N65C3FKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 415W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW47N65C3FKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPW47N65C3FKSA1-FT |
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R028G7XTMA1
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IPT60R050G7XTMA1
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IPT65R033G7XTMA1
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IPT65R105G7XTMA1
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IPT65R195G7XTMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel