casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW17N80C3A
Número de pieza del fabricante | SPW17N80C3A |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SPW17N80C3A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPW17N80C3A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2320pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 227W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW17N80C3A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPW17N80C3A-FT |
IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel