casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP80N06S2-07
Número de pieza del fabricante | SPP80N06S2-07 |
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Número de parte futuro | FT-SPP80N06S2-07 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPP80N06S2-07 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4540pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP80N06S2-07 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPP80N06S2-07-FT |
IPP80N06S407AKSA2
Infineon Technologies
IPP80N06S4L05AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N06S4L05AKSA2
Infineon Technologies
IPP80N06S4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N06S4L07AKSA2
Infineon Technologies
IPP80N08S207AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N08S406AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P405AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPP80P04P405AKSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel