casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N08S207AKSA1
Número de pieza del fabricante | IPP80N08S207AKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPP80N08S207AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N08S207AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N08S207AKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP80N08S207AKSA1-FT |
IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R165CPXKSA1
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IPP60R180C7XKSA1
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IPP60R190E6XKSA1
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IPP60R230P6XKSA1
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IPP60R250CPXKSA1
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IPP60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
Intel