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Infineon Technologies SPP18P06PHKSA1

Name: SPP18P06PHKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP18P06PHKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (558 reviews)

Número de pieza de MFG: SPP18P06PHKSA1

Cantidad disponible: 28680 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPP18P06PHKSA1.pdf

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SPP18P06PHKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SPP18P06PHKSA1
Número de parte futuro	FT-SPP18P06PHKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
SPP18P06PHKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	860pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	81.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPP18P06PHKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPP18P06PHKSA1-FT

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