casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP80N06S208AKSA1

| Número de pieza del fabricante | IPP80N06S208AKSA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IPP80N06S208AKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| IPP80N06S208AKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 58A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2860pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 215W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 |
| Paquete / Caja | TO-220-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPP80N06S208AKSA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IPP80N06S208AKSA1-FT |

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