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Infineon Technologies IPP50R199CPHKSA1

Número de pieza de MFG
IPP50R199CPHKSA1
Cantidad disponible
61970 Piezas
Precio de referencia
USD 1.614032
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ MOSFET N-CH 550V TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPP50R199CPHKSA1
Número de parte futuro FT-IPP50R199CPHKSA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPP50R199CPHKSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 550V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1800pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP50R199CPHKSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPP50R199CPHKSA1-FT

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