casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD07N20
Número de pieza del fabricante | SPD07N20 |
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Número de parte futuro | FT-SPD07N20 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPD07N20 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 530pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD07N20 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPD07N20-FT |
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M1A3P600L-1FGG484I
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LFE5UM-85F-7BG756I
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EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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5SGXEA3H2F35I3LN
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