casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD06N80C3BTMA1
Número de pieza del fabricante | SPD06N80C3BTMA1 |
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Número de parte futuro | FT-SPD06N80C3BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPD06N80C3BTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 785pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD06N80C3BTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPD06N80C3BTMA1-FT |
IPD60R600C6BTMA1
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IPD60R600CPATMA1
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
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A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
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