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Infineon Technologies SPB21N50C3ATMA1

Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1
Price: 1.76324 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (759 reviews)

Número de pieza de MFG: SPB21N50C3ATMA1

Cantidad disponible: 21380 Piezas

Precio de referencia: USD 1.76324

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ MOSFET N-CH 560V 21A TO-263

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPB21N50C3ATMA1.pdf

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SPB21N50C3ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SPB21N50C3ATMA1
Número de parte futuro	FT-SPB21N50C3ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
SPB21N50C3ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	560V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2400pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB21N50C3ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPB21N50C3ATMA1-FT

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