casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NP60N03KUG-E1-AY
Número de pieza del fabricante | NP60N03KUG-E1-AY |
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Número de parte futuro | FT-NP60N03KUG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP60N03KUG-E1-AY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta), 88W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP60N03KUG-E1-AY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NP60N03KUG-E1-AY-FT |
IRL3714ZS
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