casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SN7002NH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | SN7002NH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-SN7002NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® |
SN7002NH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 26µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 45pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SN7002NH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SN7002NH6327XTSA1-FT |
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS306NL6327HTSA1
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BSS308PEL6327HTSA1
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5SGXEB5R3F43C3N
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XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel