casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SMCG110AHE3/9AT
Número de pieza del fabricante | SMCG110AHE3/9AT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SMCG110AHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG110AHE3/9AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 110V |
Voltaje - Avería (Min) | 122V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 177V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 8.5A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB (SMCG) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG110AHE3/9AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SMCG110AHE3/9AT-FT |
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-2HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel