casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S17AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM8S17AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM8S17AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S17AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 17V |
Voltaje - Avería (Min) | 18.9V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 27.6V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 239A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S17AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S17AHE3_A/I-FT |
SM6S14A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S14HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15-6003HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation