casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SMCG10AHE3/9AT
Número de pieza del fabricante | SMCG10AHE3/9AT |
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Número de parte futuro | FT-SMCG10AHE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG10AHE3/9AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 10V |
Voltaje - Avería (Min) | 11.1V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 17V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 88.2A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB (SMCG) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG10AHE3/9AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SMCG10AHE3/9AT-FT |
SM8S16A-7001HE4/2N
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-2HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel