casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S36-7001HE4/2N
Número de pieza del fabricante | SM8S36-7001HE4/2N |
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Número de parte futuro | FT-SM8S36-7001HE4/2N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S36-7001HE4/2N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 36V |
Voltaje - Avería (Min) | 40V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 64.3V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 103A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36-7001HE4/2N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S36-7001HE4/2N-FT |
SM6S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation