casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S10AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM8S10AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM8S10AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S10AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 10V |
Voltaje - Avería (Min) | 11.1V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 17V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 388A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S10AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S10AHE3_A/I-FT |
SM5S28-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V40-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG68I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel
EPF10K50EQC240-3
Intel