casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S24HE3/2D
Número de pieza del fabricante | SM8S24HE3/2D |
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Número de parte futuro | FT-SM8S24HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S24HE3/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 24V |
Voltaje - Avería (Min) | 26.7V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 43V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 153A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S24HE3/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S24HE3/2D-FT |
SM6S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S22HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3J/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel