casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM6S20HE3/2D
Número de pieza del fabricante | SM6S20HE3/2D |
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Número de parte futuro | FT-SM6S20HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S20HE3/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 20V |
Voltaje - Avería (Min) | 22.2V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 35.8V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 128A |
Potencia - Pulso pico | 4600W (4.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S20HE3/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM6S20HE3/2D-FT |
SM5S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation