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Vishay Siliconix SISS10ADN-T1-GE3

Name: SISS10ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS10ADN-T1-GE3
Price: 0.225368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (660 reviews)

Número de pieza de MFG: SISS10ADN-T1-GE3

Cantidad disponible: 35900 Piezas

Precio de referencia: USD 0.225368

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SISS10ADN-T1-GE3.pdf

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SISS10ADN-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SISS10ADN-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SISS10ADN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SISS10ADN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31.7A (Ta), 109A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3030pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8S
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS10ADN-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SISS10ADN-T1-GE3-FT

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