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ON Semiconductor FDFMA2P029Z-F106

Name: FDFMA2P029Z-F106
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMA2P029Z-F106
Price: 0.311696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (335 reviews)

Número de pieza de MFG: FDFMA2P029Z-F106

Cantidad disponible: 83050 Piezas

Precio de referencia: USD 0.311696

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDFMA2P029Z-F106.pdf

FDFMA2P029Z-F106 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDFMA2P029Z-F106
Número de parte futuro	FT-FDFMA2P029Z-F106
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDFMA2P029Z-F106 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	720pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja	6-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA2P029Z-F106 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDFMA2P029Z-F106-FT

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