casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHP050N60E-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHP050N60E-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIHP050N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHP050N60E-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 51A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3459pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 278W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP050N60E-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHP050N60E-GE3-FT |
SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3495DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3495DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3499DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3805DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3805DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3812DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3853DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3853DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel