casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3853DV-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI3853DV-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI3853DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SI3853DV-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 830mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3853DV-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI3853DV-T1-GE3-FT |
SI3424CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3461EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3407DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3424BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3437DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456DDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3469DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3476DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel