casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHA17N80E-E3
Número de pieza del fabricante | SIHA17N80E-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIHA17N80E-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHA17N80E-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2408pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHA17N80E-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHA17N80E-E3-FT |
SIHF30N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF12N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHA15N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA6N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHA180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF12N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF8N50L-E3
Vishay Siliconix
SISH410DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel