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Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3

Name: SISH106DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH106DN-T1-GE3
Price: 0.650752 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (446 reviews)

Número de pieza de MFG: SISH106DN-T1-GE3

Cantidad disponible: 52270 Piezas

Precio de referencia: USD 0.650752

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SISH106DN-T1-GE3.pdf

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SISH106DN-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SISH106DN-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SISH106DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SISH106DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8SH
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8SH
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISH106DN-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SISH106DN-T1-GE3-FT

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