casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIA533EDJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA533EDJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA533EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA533EDJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 420pF @ 6V |
Potencia - max | 7.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA533EDJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA533EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J1TB
Rohm Semiconductor
SP8J2FU6TB
Rohm Semiconductor
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