casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SP8J2FU6TB
Número de pieza del fabricante | SP8J2FU6TB |
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Número de parte futuro | FT-SP8J2FU6TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SP8J2FU6TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 850pF @ 10V |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8J2FU6TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SP8J2FU6TB-FT |
SI4532ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4539ADY-T1-E3
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SI4539ADY-T1-GE3
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SI4542DY-T1-E3
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XC7S75-2FGGA484C
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Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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EP3SL150F780C4N
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