casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIA527DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA527DJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA527DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA527DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 500pF @ 6V |
Potencia - max | 7.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA527DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA527DJ-T1-GE3-FT |
SP8J2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J2TB
Rohm Semiconductor
SP8J3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J5TB
Rohm Semiconductor
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
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SP8K1FU6TB
Rohm Semiconductor
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A42MX24-PQG208
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A3PE1500-1PQG208I
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
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5SGXMA9N1F45C2LN
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M1A3PE1500-FGG676I
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5AGXMB5G4F35I5N
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EP20K60EQC208-2XN
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