casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI7958DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7958DP-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7958DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7958DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.4W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7958DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7958DP-T1-GE3-FT |
ALD210800ASCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210802SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210804SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210808SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210814SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110802SCL
Advanced Linear Devices Inc.
NDM3000
ON Semiconductor
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel