casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7463ADP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7463ADP-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7463ADP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7463ADP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 144nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4150pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 5W (Ta), 39W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7463ADP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7463ADP-T1-GE3-FT |
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA18ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA62DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SI7374DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7892BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
SIR164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR474DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel