casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7390DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7390DP-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7390DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7390DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7390DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7390DP-T1-GE3-FT |
SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7431DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7852ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR800DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7139DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7190DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7370DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7434DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7478DP-T1-E3
Vishay Siliconix
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation