casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7370DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7370DP-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7370DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7370DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.9W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7370DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7370DP-T1-GE3-FT |
SI7112DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7113ADN-T1-GE3
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SI7120DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7120DN-T1-GE3
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SI7302DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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SI7328DN-T1-GE3
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SI7402DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7402DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel