casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI7270DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7270DP-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7270DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7270DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 900pF @ 15V |
Potencia - max | 17.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7270DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7270DP-T1-GE3-FT |
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ALD212900APAL
Advanced Linear Devices Inc.
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XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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5SGXMA7N2F45C2LN
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