casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ALD212900APAL
Número de pieza del fabricante | ALD212900APAL |
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Número de parte futuro | FT-ALD212900APAL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
ALD212900APAL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 10.6V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm |
Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 30pF @ 5V |
Potencia - max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD212900APAL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ALD212900APAL-FT |
SI4933DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4933DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4940DY-T1-E3
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SI4940DY-T1-GE3
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SI4941EDY-T1-E3
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A1020B-2VQ80C
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XC6SLX150T-2FG900C
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LFE2-70E-7F900C
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A3P060-1VQ100T
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10M16DCF256C7G
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5SGXMA7K1F40C2N
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EP4CE10E22A7N
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