casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4943CDY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI4943CDY-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI4943CDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4943CDY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1945pF @ 10V |
Potencia - max | 3.1W |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4943CDY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4943CDY-T1-E3-FT |
SH8KA2GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M11TB1
Rohm Semiconductor
SH8M12TB1
Rohm Semiconductor
SH8M13GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M14TB1
Rohm Semiconductor
SH8M24TB1
Rohm Semiconductor
SH8M2TB1
Rohm Semiconductor
SH8M41GZETB
Rohm Semiconductor
SH8M4TB1
Rohm Semiconductor
SH8M70TB1
Rohm Semiconductor
AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation