casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SH8M11TB1
Número de pieza del fabricante | SH8M11TB1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SH8M11TB1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SH8M11TB1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 85pF @ 10V |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M11TB1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SH8M11TB1-FT |
IRF8852TRPBF
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