casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IRF8852TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF8852TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF8852TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF8852TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1151pF @ 20V |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF8852TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF8852TRPBF-FT |
SI6925ADQ-T1-E3
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