casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7119DN-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI7119DN-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7119DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7119DN-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 666pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7119DN-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7119DN-T1-E3-FT |
SIHB22N60E-GE3
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Lattice Semiconductor Corporation
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