casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHB22N60S-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHB22N60S-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIHB22N60S-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S |
SIHB22N60S-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2.81nF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB22N60S-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHB22N60S-GE3-FT |
IRFBC30AS
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRRPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30S
Vishay Siliconix
IRFBC30STRL
Vishay Siliconix
IRFBC30STRR
Vishay Siliconix
IRFBC40AS
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRR
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel