casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7110DN-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI7110DN-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7110DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7110DN-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7110DN-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7110DN-T1-E3-FT |
SI7113DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS412DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7123DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7106DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7117DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7716ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7119DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7818DN-T1-E3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel